| 摘要 |
본 발명은, 매립 절연막과 기판 사이에 공동 영역을 형성해서 내압을 높이면서, 충분한 기계적 강도를 갖는 반도체장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 기판(12)과, 이 기판 위에 형성된 매립 절연막(14)과, 이 매립 절연막 위에 형성된 SOI층(20)과, 이 SOI층을 제1 SOI층(20a)과, 이 제1 SOI층과 절연된 제2 SOI층(20b)으로 구분하는 절연막(22)과, 이 제1 SOI층에 형성된 소자(30)와, 일단에 이 제2 SOI층의 바로 위에 위치하는 패드(70a)를 갖고, 타단은 이 제1 SOI층에 접속된 전극(70)을 구비하고, 이 제1 SOI층의 바로 아래에 있어서 매립 절연막과 이 기판 사이에 공동 영역(18)을 갖고, 이 제2 SOI층의 바로 아래에 있어서 이 매립 절연막의 적어도 일부는 이 기판에 직접 접한다. |
