发明名称 Substrate process apparatus
摘要 본 발명은 일측에서 기판이 입출 가능하고, 내부에 제1 공간을 형성하는 챔버, 상기 챔버 내부의 제1 공간에 배치되고 내부에 제2 공간을 형성하는 내부 챔버, 상기 내부 챔버의 내부에 배치되고 상기 기판을 지지하기 위한 기판 지지대, 상기 기판 지지대에 가스를 분사하기 위한 가스 분사기를 포함하고, 상기 내부 챔버는 상기 챔버 내 상측에 고정되는 제1 바디, 상기 제1 바디 하측에 배치되며 상하이동 가능한 제2 바디를 포함하고, 상기 제1 바디와 상기 제2 바디가 결합되어 상기 제2 공간을 상기 제1 공간에 대하여 고립시키는 고립 공간으로 형성하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
申请公布号 KR101606198(B1) 申请公布日期 2016.03.24
申请号 KR20150090565 申请日期 2015.06.25
申请人 참엔지니어링(주) 发明人 조국형
分类号 H01L21/02;H01L21/205 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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