| 摘要 |
Eine elektrisch leitfähige Barriereschicht wird auf einem Halbleitersubstrat derart ausgebildet, dass die Barriereschicht einen ersten Bauelementanschluss abdeckt. Eine Keimschicht wird auf der Barriereschicht ausgebildet. Die Keimschicht aufweist ein von Gold verschiedenes Edelmetall. Das Substrat wird derart maskiert, dass eine erste Maskenöffnung seitlich auf den ersten Anschluss ausgerichtet wird. Ein unmaskierter Abschnitt der Keimschicht wird unter Verwendung einer Goldelektrolytlösung derart elektroplattiert, dass eine erste Goldmetallisierungsstruktur in der ersten Maskenöffnung ausgebildet wird. Die Maske, die maskierten Abschnitte der Keimschicht und der Barriereschicht werden entfernt. Das Edelmetall aus dem unmaskierten Abschnitt der Keimschicht wird in die erste Goldmetallisierungsstruktur eindiffundiert. Die erste Goldmetallisierungsstruktur wird über die Barriereschicht mit dem ersten Anschluss elektrisch verbunden. |
