| 摘要 |
낮은 전원 전압에서 비트 라인 부스팅을 이용하여 감지 증폭 회로를 동작시킬 수 있는 반도체 메모리 장치가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는, 비트 라인을 부스팅하여 센싱 시의 동작점을 감지 증폭 회로의 문턱 전압보다 높게 형성함으로써 낮은 전원 전압으로도 효율적으로 센싱 동작이 수행될 수 있게 한다. 또한, 부스팅 동작을 위한 모스 트랜지스터의 유효 커패시턴스가 게이트-소스 간의 전압에 의존하는 특성에 기초하여 두 비트 라인들 각각의 부스팅 정도를 상이하게 조절함으로써 프리 앰프의 효과가 얻어질 수 있다. |
