Verfahren zum Bilden von einer Gateelektrode einer Halbleitervorrichtung

摘要

Verfahren zum Bilden einer Gateelektrode (150; 250A) einer Halbleitervorrichtung (100, 200A), das Verfahren umfassend: Bilden einer ersten high-k Dielektrikumsschicht (153; 253) über einem ersten aktiven Gebiet (202A) eines Halbleitersubstrats (102; 202); Bilden eines ersten Metall aufweisenden Materials (107, 154; 207, 254) auf der ersten high-k Dielektrikumsschicht (153; 253); Durchführen eines ersten Ausheizprozesses (108; 208); Entfernen des ersten Metall aufweisenden Materials (107, 154; 207, 254) zum Freilegen der ersten high-k Dielektrikumsschicht (153; 253); und Bilden einer zweiten high-k Dielektrikumsschicht (155; 251) auf der ersten high-k Dielektrikumsschicht (153; 253) nach dem Durchführen des ersten Ausheizprozesses (108; 208).