| 摘要 |
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부 공간이 형성된 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 공정 챔버 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 공정 챔버 내 서로 대향되게 제공되는 상부 전극 및 하부 전극을 포함하고, 상기 공정 챔버 내부에 공급된 상기 공정 가스를 여기시키는 플라즈마 생성 유닛 그리고 상기 공정 챔버 내부의 플라즈마의 밀도를 제어하는 금속 재질의 플레이트를 갖는 플레이트 유닛을 포함하되, 상기 플레이트는 상기 상부 전극의 상부에 위치되고 상기 상부 전극에 대향되게 제공될 수 있다. |
