半导体晶体衬底、半导体晶体衬底的制造方法、半导体器件的制造方法、电源装置和放大器

摘要

本发明涉及半导体晶体衬底、半导体晶体衬底的制造方法、半导体器件的制造方法、电源装置和放大器。所述半导体晶体衬底包括：衬底；以及通过在衬底的表面上施加氮化物来形成的保护层。所述保护层在所述衬底的外周部分处的周边区域中处于非晶态，以及所述保护层在位于所述保护层的所述周边区域内的所述保护层的内部区域中是结晶的。

主权项

一种制造半导体晶体衬底的方法，所述方法包括：在衬底的表面上使用包含氮化物的材料形成保护层；在所述保护层的对应于所述衬底的外周部分并形成在所述衬底的外周部分上的外周区域中注入氧；以及在所述外周区域中注入氧之后，在以下温度加热所述衬底：在所述保护层的由所述外周区域包围的内部区域中所述保护层结晶的温度，其中所述保护层形成在所述衬底的表面上并包括：所述外周区域，其中注入氧并且所述保护层处于非晶态而没有外延生长；以及所述内部区域，其中所述保护层是结晶的，其中所述方法还包括在所述保护层的所述外周区域上形成非晶态半导体层，和在所述保护层的所述内部区域上形成结晶半导体层。