发明名称 固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法和摄像装置
摘要 本发明公开了一种固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法和摄像装置。所述固体摄像器件包括:半导体基板,所述半导体基板具有形成有进行光电转换的光电二极管的有效区域和被遮光膜遮蔽的光学黑区域;第一膜,所述第一膜形成于所述有效区域上,并且在所述第一膜中层叠有至少一层具有负固定电荷的层;以及第二膜,所述第二膜形成于所述光学黑区域上,并且在所述第二膜中层叠有至少一层具有负固定电荷的层,其中,在所述第一膜中形成的层的数量不同于在所述第二膜中形成的层的数量。所述摄像装置包括所述固体摄像器件。根据本发明,能够使有效区域中的暗电流与光学黑区域中的暗电流之间的差变小,由此能够改善所谓的OB等级差。
申请公布号 CN102683361B 申请公布日期 2016.03.23
申请号 CN201210051688.7 申请日期 2012.03.01
申请人 索尼公司 发明人 吉次快
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人 陈桂香;武玉琴
主权项 一种固体摄像器件,所述固体摄像器件包括:半导体基板,所述半导体基板具有形成有进行光电转换的光电二极管的有效区域和被遮光膜遮蔽的光学黑区域;第一膜,所述第一膜形成于所述有效区域上,并且在所述第一膜中层叠有至少一层具有负固定电荷的层;第二膜,所述第二膜形成于所述光学黑区域上,并且在所述第二膜中层叠有至少一层具有负固定电荷的层;绝缘膜,所述绝缘膜形成在所述第一膜和所述第二膜上;遮光膜,所述遮光膜隔着所述绝缘膜形成在所述第二膜上;以及平坦化膜,所述平坦化膜形成为覆盖所述绝缘膜和所述遮光膜,其中,在所述第一膜中形成的层的数量不同于在所述第二膜中形成的层的数量。
地址 日本东京