具有减少的衬底损伤的半导体器件和相关方法

摘要

本发明提供了具有增加的操作性能的光电子器件、材料和相关方法。例如，在一个方面，光电子器件可以包含半导体材料、在半导体材料中的第一掺杂区、在半导体材料中与第一掺杂区形成结的第二掺杂区以及与该结关联的激光处理区。该激光处理区被定位成与电磁辐射交互。另外，来自该激光处理区的至少一部分激光损伤区被去除，以使得该光电子器件具有约500mV到约800mV的开路电压。

主权项

一种光电子器件，其包括：半导体材料；在所述半导体材料中的第一掺杂区；在所述半导体材料中与所述第一掺杂区形成结的第二掺杂区；以及激光处理区，其与所述结关联并且被配置为与电磁辐射交互，其中来自所述激光处理区的至少一部分激光损伤区被去除，以使得所述光电子器件具有500mV到800mV的开路电压。