一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法

摘要

本发明适用于光电子技术领域，提供了一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法，包括：将完成脊波导结构制作的外延片置于具有温度可调节的托盘上；利用电子束蒸发SiO₂，并在脊波导结构上生长SiO₂达到预设时间后，控制托盘温度进行退火；在完成退火后，再次进行电子束蒸发SiO₂，并依据预设时间周期性的完成电子束蒸发SiO₂在脊波导结构上生长SiO₂和控制托盘温度进行退火的操作，直到生成指定厚度SiO₂薄膜后停止电子束蒸发SiO₂。本发明实施例利用了电子束蒸发SiO₂的方式改进了生长得到的SiO₂层表面质量，并针对SiO₂层中可能存在的应力，提出了将原本待生长指定厚度的SiO₂，分离成多次生长和退火的过程，从而将应力有效的减小。

主权项

一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法，其特征在于，所述方法包括：将完成脊波导结构制作的外延片置于具有温度可调节的托盘上，其中，所述托盘被安装在电子束蒸发室内；利用电子束蒸发SiO₂，并在所述脊波导结构上生长SiO₂达到预设时间后，控制所述托盘温度进行退火；在完成所述退火后，再次进行电子束蒸发SiO₂，并依据所述预设时间周期性的完成所述电子束蒸发SiO₂在所述脊波导结构上生长SiO₂和控制所述托盘温度进行退火的操作，直到生成指定厚度SiO₂薄膜后停止电子束蒸发SiO₂。