发明名称 覆晶式发光二极管封装结构
摘要 一种覆晶式发光二极管封装结构,包括基板及位于基板之上的LED芯片,所述LED芯片包括P电极和N电极,还包括固定于基板的第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极分别具有位于基板顶面之上的第一凸起和第二凸起,所述P电极与N电极分别通过导电胶固定于所述第一凸起和第二凸起的顶面且P电极及N电极的底面边缘超出所述第一凸起及第二凸起的顶面边缘。本发明所述覆晶式发光二极管封装结构性能稳定,出光效率高。
申请公布号 CN105428510A 申请公布日期 2016.03.23
申请号 CN201410445082.0 申请日期 2014.09.03
申请人 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 发明人 林厚德;张超雄;陈滨全;陈隆欣
分类号 H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L33/62(2010.01)I
代理机构 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人 汪飞亚
主权项 一种覆晶式发光二极管封装结构,包括基板及位于基板之上的LED芯片,所述LED芯片包括P电极和N电极,还包括固定于基板的第一电极和第二电极,其特征在于:所述第一电极和第二电极分别具有位于基板顶面之上的第一凸起和第二凸起,所述P电极与N电极分别通过导电胶固定于所述第一凸起和第二凸起的顶面且P电极及N电极的底面边缘超出所述第一凸起及第二凸起的顶面边缘。
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