| 发明名称 | 处理半导体器件的方法和芯片封装 | ||
| 摘要 | 本发明涉及处理半导体器件的方法和芯片封装。在各种实施例中，一种处理半导体器件的方法可以包含：提供包括接触焊盘和聚合物层的半导体器件；以及使接触焊盘和聚合物层的至少部分经受包括氨气的等离子体。 | ||
| 申请公布号 | CN105428262A | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201510592285.7 | 申请日期 | 2015.09.17 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | J.希尔施勒;F.克莱因比希勒;H.韦登霍费尔;S.R.耶杜鲁 |
| 分类号 | H01L21/56(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 申屠伟进;刘春元 |
| 主权项 | 一种处理半导体器件的方法，所述方法包括：提供包括接触焊盘和聚合物层的半导体器件；以及使接触焊盘和聚合物层的至少部分经受包括氨气的等离子体。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||