薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括栅极、覆盖栅极的绝缘层、配置于绝缘层上的第一半导体图案、配置于第一半导体图案上的第二半导体图案、配置于第二半导体图案上的蚀刻阻挡图案、源极与漏极。第一半导体图案具有通道区、第一源极区及第一漏极区。第二半导体图案具有抑制区、第二源极区及第二漏极区。抑制区、第二源极区及第二漏极区分别与通道区、第一源极区及第一漏极区重叠。通道区的阻值为R1。抑制区的阻值为R2。第二源极区的阻值及第二漏极区的阻值为R3。第一源极区的阻值及第一漏极区的阻值为R4。R2>R1>R3≧R4。本发明能提升栅极对电流的控制能力，而不易发生现有技术中起始电压偏移过大的问题，使薄膜晶体管性能佳。

主权项

一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一栅极；一绝缘层，覆盖该栅极；一第一半导体图案，配置于该绝缘层上，该第一半导体图案具有一通道区、一第一源极区以及一第一漏极区，该第一源极区与该第一漏极区分别位于该通道区的相对两侧；一第二半导体图案，配置于该第一半导体图案上，该第二半导体图案具有分别与该通道区、该第一源极区、该第一漏极区重叠的一抑制区、一第二源极区以及一第二漏极区；一蚀刻阻挡图案，配置于该第二半导体图案上；一源极以及一漏极，覆盖部分的该蚀刻阻挡图案，该源极与该第一半导体图案的该第一源极区以及该第二半导体图案的该第二源极区电连接，该漏极与该第一半导体图案的该第一漏极区以及该第二半导体图案的该第二漏极区电连接，其中该通道区的阻值为R1，该抑制区的阻值为R2，该第二源极区的阻值以及该第二漏极区的阻值为R3，该第一源极区的阻值以及该第一漏极区的阻值为R4，而且R2>R1>R3≧R4。