| 发明名称 | CMOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种CMOS器件，包括多个NMOS和多个PMOS，每个NMOS以及每个PMOS均包括在衬底上的由栅极绝缘层和栅极金属层构成的栅极堆叠、衬底中栅极堆叠两侧的源漏区、以及栅极堆叠下方的沟道区，其中，每个NMOS的栅极金属层包括第一阻挡层、NMOS功函数调节层、第二阻挡层、以及填充层，每个PMOS的栅极金属层包括第一阻挡层、PMOS功函数调节层、NMOS功函数调节层、第二阻挡层以及填充层，并且NMOS栅极金属层中的第一阻挡层与PMOS栅极金属层中的第一阻挡层含有掺杂离子以用于微调功函数。依照本发明的半导体器件及其制造方法，利用牺牲层向阻挡层扩散杂质，有效提高了阈值电压调节精度，利于提高器件整体性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105428361A | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201410484407.6 | 申请日期 | 2014.09.19 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 殷华湘;杨红;张青竹;徐秋霞 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种CMOS器件，包括多个NMOS和多个PMOS，每个NMOS以及每个PMOS均包括在衬底上的由栅极绝缘层和栅极金属层构成的栅极堆叠、衬底中栅极堆叠两侧的源漏区、以及栅极堆叠下方的沟道区，其中，每个NMOS的栅极金属层包括第一阻挡层、NMOS功函数调节层、第二阻挡层、以及填充层，每个PMOS的栅极金属层包括第一阻挡层、PMOS功函数调节层、NMOS功函数调节层、第二阻挡层以及填充层，并且NMOS栅极金属层中的第一阻挡层与PMOS栅极金属层中的第一阻挡层含有掺杂离子以用于微调功函数。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||