一种MOCVD设备喷淋头及其气相反应控制方法

摘要

本发明提供的MOCVD设备喷淋头包括MO源通道、保护气体通道、氧源通道、观察通道、以及反应腔，MO源气体、保护气体分别通过MO源通道、保护气体通道直达反应腔内部，氧源气体通过缓冲腔分散后再通过氧源通道到达反应腔，保护气体通道设置于MO源通道和氧源通道之间，保护气体在反应腔内形成气壁，从而分隔开MO源气体以及氧源气体在反应腔内到达旋转基座前的预混合，从而提高MOCVD设备生长薄膜的质量。本发明提供的MOCVD设备喷淋头可通过控制保护气体流量来控制气壁的厚度以及长短，通过设计观察通道、MO源通道、保护气体通道及氧源通道的设计可以准确控制生长薄膜的质量，得到高质量的薄膜。

主权项

一种MOCVD设备喷淋头，包括进气装置、反应腔和旋转基座，其特征在于：所述进气装置包括盖体、以及设置于盖体的MO源通道、保护气体通道、氧源通道和观察通道；所述盖体与所述反应腔的顶部紧密连接，所述MO源通道、保护气体通道、氧源通道和观察通道均延伸至所述反应腔；所述保护气体通道设置于所述MO源通道和所述氧源通道之间，所述保护气体通道用于通入能够抑制MO源气体与氧源气体进行预反应的保护气体；所述观察通道的两端设有进气口，用于通入惰性气体，通过所述观察通道能够观察到所述反应腔的底部；所述旋转基座设置于所述反应腔的底部，用于承载基片。