发明名称 ACTIVE-LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, AND RESIST FILM, RESIST COATING MASK BLANK, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, AND PHOTOMASK EMPLOYING SAME
摘要 고감도, 고해상성, 높은 경시 안정성, 스컴의 발생이 적고 및 양호한 드라이에칭 내성을 동시에 만족하는 패턴을 형성할 수 있는 감활성 광선성 또는 감방사선성 조성물, 그것을 사용한 레지스트막, 레지스트 도포 마스크 블랭크스, 레지스트 패턴 형성 방법, 및 포토마스크를 제공한다. (A) 하기 일반식 (αI) 또는 (I)로 나타내어지는 화합물, 및 (B) 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물을 함유하는 감활성 광선성 또는 감방사선성 조성물.상기 일반식 (αI) 및 (I) 중, R∼R의 각각은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. A는 1가의 유기기를 나타낸다.
申请公布号 KR20160032267(A) 申请公布日期 2016.03.23
申请号 KR20167006252 申请日期 2013.03.26
申请人 FUJIFILM CORPORATION 发明人 TSUCHIMURA TOMOTAKA;TSURUTA TAKUYA;INASAKI TAKESHI;TAKAHASHI KOUTAROU
分类号 G03F7/038;C07C309/73;C07C309/77;C08F12/24;G03F7/039;H01L21/027 主分类号 G03F7/038
代理机构 代理人
主权项
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