SRAM时序测试电路及测试方法

摘要

本发明揭示了一种SRAM时序测试电路及测试方法，所述测试电路包括SRAM存储单元和测试电路单元，所述测试电路单元包括与所述SRAM存储单元连接的第一模式切换电路，与所述第一模式切换电路连接的边沿信号触发电路，与所述边沿信号触发电路相连的第二模式切换电路。第一模式切换电路具有第一使能端，第二模式切换电路具有第二使能端，根据第一使能端和第二使能端的信号控制不同，在测试电路中可分别形成第一环形振荡电路和第二环形振荡电路，通过测量两个环形振荡电路的输出振荡周期，从而精确得到SRAM存储单元读取数据的时间值。本发明可通过自动布线工具完成，具有测量误差小、精度高、测量简单的优点。

主权项

SRAM时序测试电路，包括SRAM存储单元和测试电路单元，所述SRAM存储单元包括地址信号输入端、时钟信号输入端和读数据信号输出端，其特征在于，所述测试电路单元包括：第一模式切换电路，输入端与所述读数据信号输出端相连；边沿信号触发电路，输入端与所述第一模式切换电路的输出端相连；第二模式切换电路，输入端与所述边沿信号触发电路的输出端相连、输出端与所述时钟信号输入端相连；所述第一模式切换电路具有第一使能端，所述第二模式切换电路具有第二使能端；当第一使能端控制第一模式切换电路接入读数据信号输出端，第二使能端控制第二模式切换电路接入边沿信号触发电路输出端时，所述SRAM存储单元、第一模式切换电路、边沿信号触发电路和第二模式切换电路形成第一环形振荡电路；当第一使能端控制第一模式切换电路接入第二模式切换电路的输出端时，所述第一模式切换电路、边沿信号触发电路和第二模式切换电路形成第二环形振荡电路。