| 发明名称 | 双栅极式闪存 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种双栅极式闪存，提供一种制造介于内存栅极堆叠及选择栅极之间具有鳍状结构的分离栅极内存单元。实施例包括在该内存栅极堆叠下方的第一沟道区及在该选择栅极下方的第二沟道区。 | ||
| 申请公布号 | CN102956462B | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201210269889.4 | 申请日期 | 2012.07.31 |
| 申请人 | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 | 发明人 | 陈学深;卓荣发;郭克文 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种制造内存装置的方法，包括：在基板上提供鳍状结构；在该鳍状结构上沉积硬掩膜材料；在该基板上方形成氧化物；定时蚀刻该氧化物以曝露该鳍状结构的上部；移除该硬掩膜材料；在该鳍状结构和该基板的上部上执行隔离及井布植以形成井；邻近该鳍状结构的第一侧表面提供内存栅极堆叠；以及邻近该鳍状结构的第二侧表面提供选择栅极。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡城 | ||