温度稳定型微波介电陶瓷LiGeV₃O₁₀及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiGeV₃O₁₀及其制备方法。（1）将纯度为99.9%（重量百分比）以上的Li₂CO₃、V₂O₅和GeO₂的原始粉末按LiGeV₃O₁₀的组成称量配料；（2）将步骤（1）原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在650℃大气气氛中预烧6小时；（3）在步骤（2）制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在700~750℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在750℃以下烧结良好，介电常数达到25.4～26.8，其品质因数Qf值高达79000-105000GHz，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。

主权项

一种温度稳定型高品质因数低介电常数微波介电陶瓷，其特征在于所述微波介电陶瓷的化学组成为：LiGeV₃O₁₀；所述微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为：（1）将纯度为99.9%（重量百分比）以上的Li₂CO₃、V₂O₅和GeO₂的原始粉末按LiGeV₃O₁₀的组成称量配料；（2）将步骤（1）原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在650℃大气气氛中预烧6小时；（3）在步骤（2）制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在700~750℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇添加量占粉末总质量的3%。