| 发明名称 | 半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及半导体发光元件，该半导体发光元件，包括一基板，及依次形成于所述基板上的氮化物缓冲层、n型层、浅量子阱层、多量子阱层和p型层，其特征在于：于所述浅量子阱层与多量子阱层之间还插入一复合结构层，所述复合结构层至少包括一p型掺杂GaN层、一n型掺杂GaN层、及位于p型掺杂GaN层与n型掺杂GaN层之间的隔离层。利用复合结构层中p型杂质向所述浅量子阱层和多量子阱层迁移的特性，增加多量子阱层发光强度的同时促使浅量子阱层和复合结构层发光，增加半导体元件出光面积，继而提升其发光强度。 | ||
| 申请公布号 | CN105428479A | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201511012848.7 | 申请日期 | 2015.12.31 |
| 申请人 | 安徽三安光电有限公司 | 发明人 | 江汉;蓝永凌;黄文宾;林兓兓;张家宏 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 半导体发光元件，包括一基板，及依次形成于所述基板上的氮化物缓冲层、n型层、浅量子阱层、多量子阱层和p型层，其特征在于：于所述浅量子阱层和多量子阱层之间插入一复合结构层，所述复合结构层至少包括一p型掺杂GaN层、一n型掺杂GaN层及位于所述p型掺杂GaN层与n型掺杂GaN层之间的隔离层。 | ||
| 地址 | 241000 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号 | ||