发明名称 |
半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的实施方式抑制半导体装置的可靠性降低。实施方式的半导体装置具备:第1半导体芯片;第2半导体芯片,积层在第1半导体芯片上,具有从一面向另一面贯通半导体基板的贯通电极,且以将另一面朝向第1半导体芯片的方式积层;第1凸块,向一面突出设置,且具有露出面;密封树脂,以将露出面露出的方式密封第1半导体芯片与第2半导体芯片、第1凸块;以及第2凸块,设置在露出面上。 |
申请公布号 |
CN105428341A |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201510591584.9 |
申请日期 |
2015.09.16 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
佐藤隆夫 |
分类号 |
H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/065(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
张世俊 |
主权项 |
一种半导体装置,其特征在于具备:第1半导体芯片;第2半导体芯片,积层在所述第1半导体芯片上,具有从一面向另一面贯通半导体基板的贯通电极,且以将所述另一面朝向所述第1半导体芯片的方式积层;第1凸块,向所述一面突出设置,具有露出面;密封树脂,以将所述露出面露出的方式密封所述第1半导体芯片与所述第2半导体芯片、所述第1凸块;以及第2凸块,设置在所述露出面上。 |
地址 |
日本东京 |