发明名称 半导体装置以及半导体装置的制造方法
摘要 本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的实施方式抑制半导体装置的可靠性降低。实施方式的半导体装置具备:第1半导体芯片;第2半导体芯片,积层在第1半导体芯片上,具有从一面向另一面贯通半导体基板的贯通电极,且以将另一面朝向第1半导体芯片的方式积层;第1凸块,向一面突出设置,且具有露出面;密封树脂,以将露出面露出的方式密封第1半导体芯片与第2半导体芯片、第1凸块;以及第2凸块,设置在露出面上。
申请公布号 CN105428341A 申请公布日期 2016.03.23
申请号 CN201510591584.9 申请日期 2015.09.16
申请人 株式会社东芝 发明人 佐藤隆夫
分类号 H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I 主分类号 H01L25/065(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 张世俊
主权项 一种半导体装置,其特征在于具备:第1半导体芯片;第2半导体芯片,积层在所述第1半导体芯片上,具有从一面向另一面贯通半导体基板的贯通电极,且以将所述另一面朝向所述第1半导体芯片的方式积层;第1凸块,向所述一面突出设置,具有露出面;密封树脂,以将所述露出面露出的方式密封所述第1半导体芯片与所述第2半导体芯片、所述第1凸块;以及第2凸块,设置在所述露出面上。
地址 日本东京