发明名称 |
光源掩模协同优化方法 |
摘要 |
本发明提供了一种光源掩模协同优化方法,包括:输入初始参数;选择部分输入版图参与优化;进行光源掩模协同优化,得到满足光刻工艺条件的优化光源;调整掩模可制造性规则,重新进行版图优化;根据能否满足工艺条件,确定成本最低的掩模可制造性规则;根据确定的可制造性规则,对所有的输入版图进行版图优化;获得最终的优化版图。该方法在进行光源掩模协同优化过程中,可以对掩模可制造性进行规则优化,使得优化后的掩模版制造成本以及缺陷数量降低,还减少了参与协同优化的掩模版图图形数量,提高了优化效率。 |
申请公布号 |
CN105425532A |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201510810017.8 |
申请日期 |
2015.11.20 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
宋之洋;郭沫然;韦亚一;董立松;于丽贤 |
分类号 |
G03F1/36(2012.01)I |
主分类号 |
G03F1/36(2012.01)I |
代理机构 |
北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 |
代理人 |
朱海波 |
主权项 |
一种光源掩模协同优化方法,包括:输入步骤:输入初始参数,所述初始参数包括第一光刻工艺条件、掩模版图信息以及优化参数(S01);选择步骤:根据输入的版图信息,选择部分掩模版图参与后续优化(S02);协同优化步骤:对所选择的掩模版图进行光源掩模协同优化(S03);第一光刻仿真评估步骤:对优化后的光源、掩模版图进行第一光刻仿真评估,若光刻成像质量满足所述第一光刻工艺条件,则光源掩模协同优化完成,若不满足所述第一光刻工艺条件,则执行后续步骤(S04);调整步骤:根据所述第一光刻仿真评估的结果,调整所述第一光刻工艺条件和所述优化参数(S05);以及重复执行所述协同优化步骤、所述第一光刻仿真评估步骤和所述调整步骤,直至所述第一光刻仿真评估的结果满足所述第一光刻工艺条件。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |