| 发明名称 | 场效应晶体管和用于生产场效应晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 为了提供一种场效应晶体管，包含：栅极电极，配置为施加栅极电压；源极电极和漏极电极，两者都配置为输出电流；有源层，由n型氧化物半导体形成，被提供为与源极电极和漏极电极接触；以及栅极绝缘层，被提供在栅极电极和有源层之间；其中，源极电极和漏极电极的功函数是4.90eV或更大，并且其中，n型氧化物半导体的电子载流子密度为4.0×10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>或更大。 | ||
| 申请公布号 | CN105431930A | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201480043179.7 | 申请日期 | 2014.07.25 |
| 申请人 | 株式会社理光 | 发明人 | 松本真二;植田尚之;中村有希;高田美树子;曾根雄司;早乙女辽一;新江定宪;安部由希子 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 安之斐 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，包括：栅极电极，配置为施加栅极电压；源极电极和漏极电极，两者都被配置为输出电流；有源层，由n型氧化物半导体形成，被提供为与源极电极和漏极电极接触；以及栅极绝缘层，被提供在栅极电极和有源层之间；其中，源极电极和漏极电极的功函数是4.90eV或更大，并且其中，n型氧化物半导体的电子载流子密度为4.0×10<sup>17</sup>cm<sup>‑3</sup>或更大。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||