发明名称 |
制备纳米结构和纳米结构化制品的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制备纳米结构和纳米结构化制品的方法,该方法通过以下方式:由从气态混合物进行的等离子体化学气相沉积来将层沉积到基底的主表面上同时基本上同时用反应性物质蚀刻该表面。该方法包括提供基底;将在形成为等离子体时能够将层沉积到基底上的第一气态物质与在形成为等离子体时能够蚀刻基底的第二气态物质混合,从而形成气态混合物;将气态混合物形成为等离子体;以及使基底的表面暴露于等离子体,其中表面被蚀刻,并且层被基本上同时沉积在经蚀刻的表面的至少一部分上,从而形成纳米结构。基底可为(共)聚合物材料、无机材料、合金、固溶体或它们的组合。沉积的层可以包括使用反应性气体进行的等离子体化学气相沉积的反应产物,该反应性气体包括选自以下的化合物:有机硅化合物、金属烷基化合物、金属异丙氧化物化合物、金属乙酰丙酮化物、金属卤化物以及它们的组合。可以制备具有高纵横比并且在至少一个维度上并且优选在三个正交维度上任选地具有无规维度的纳米结构。 |
申请公布号 |
CN105431376A |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201480042006.3 |
申请日期 |
2014.07.23 |
申请人 |
3M创新有限公司 |
发明人 |
莫塞斯·M·大卫;余大华;丹尼尔·S·巴特斯;杰施里·塞思;迈克尔·S·贝格尔;卡斯腾·弗兰克;塞巴斯蒂安·F·泽亨特迈尔 |
分类号 |
B82B3/00(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B82B3/00(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
王潜;郭国清 |
主权项 |
一种制备纳米结构的方法,所述方法包括:提供基底;将在形成为等离子体时能够将层沉积到所述基底上的第一气态物质与在形成为等离子体时能够蚀刻所述基底的第二气态物质混合,从而形成气态混合物;将所述气态混合物形成为等离子体;以及使所述基底的表面暴露于所述等离子体,其中所述表面被蚀刻,并且层被基本上同时沉积在经蚀刻的表面的至少一部分上,从而形成纳米结构。 |
地址 |
美国明尼苏达州 |