阻挡漏电流通过存储阵列中瑕疵存储单元的方法

摘要

本发明公开了一种阻挡漏电流通过存储阵列中瑕疵存储单元的方法。该存储单元包括存取装置以及可编程电阻存储元件。该方法包含辨识在该存储阵列中瑕疵存储单元的地址，以及施加一修改偏压条件以修改在该辨识地址上的该瑕疵存储单元。此修改偏压条件会导致该修改瑕疵存储单元转变为阻挡漏电流的情况。该方法也包含将所辨识的该瑕疵存储单元的地址储存于一个地址的备援表中。本发明也揭露一种自动测试系统，其包含一装置测试机适合在一集成电路进行测试时辨识在一存储阵列中瑕疵存储单元的地址，且施加一修改偏压条件以修改在该辨识地址上的该瑕疵存储单元。

主权项

一种阻挡漏电流通过一存储阵列中瑕疵存储单元的方法，该存储单元包括存取装置及可编程电阻存储元件，包含：辨识在该存储阵列中瑕疵存储单元的地址；以及施加一修改偏压条件以修改在该辨识地址上的该瑕疵存储单元，形成修改瑕疵存储单元，该存储阵列操作期间施加偏压条件下，该修改瑕疵存储单元具有一电流阻挡条件；其中，该修改瑕疵存储单元包括一修改二极管在正向和反向偏压时会保持在一电流阻挡条件下。