发明名称 含荧光体的识别物体及其制造方法
摘要 本发明的含荧光体的识别物体,基材的表面整体或一部分由含荧光体的硅酮薄层覆盖,所述荧光体在可视光线的照射下不发光,在紫外线或黑光的照射下发光,由此具有识别性。本发明的含荧光体的识别物体的制造方法,在将基材成形后或成形的同时,使其与含荧光体的薄层形成用硅酮组合物接触,然后进行加热。由此,提供可以适用于硅酮薄膜,与基材的粘接性优异,而且,基材本来的特性不受标记影响的含荧光体的识别物体及其制造方法。
申请公布号 CN105431894A 申请公布日期 2016.03.23
申请号 CN201580001096.6 申请日期 2015.03.18
申请人 富士高分子工业株式会社 发明人 猿山俊夫;后藤诚;片石拓海
分类号 G09F13/20(2006.01)I;B42D25/36(2006.01)I;C09K11/08(2006.01)I;G09F3/02(2006.01)I 主分类号 G09F13/20(2006.01)I
代理机构 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人 龚敏;王刚
主权项 一种含荧光体的识别物体,其特征在于,基材的表面整体或一部分由含荧光体的硅酮薄层覆盖,所述荧光体在可视光线的照射下不发光,在紫外线或黑光的照射下发光,由此具有识别性。
地址 日本国爱知县名古屋市中区千代田五丁目21番11号