发明名称 一种大尺寸发光二极管
摘要 本实用新型公开一种大尺寸发光二极管,包括p区、n区及有源区,有源区设置在p区与n区之间,在p区上设置第一电极,在n区上设置第二电极;其特征在于:p区设置复合的多层欧姆接触层结构,ITO导电层蒸镀在复合的多层欧姆接触层结构上,第一电极设置在ITO导电层上。本实用新型可以提高ITO导电层的电流扩展效果,减少扩展电极的挡光面积,提高发光二极管的发光效率,降低制造成本。
申请公布号 CN205104513U 申请公布日期 2016.03.23
申请号 CN201520783121.8 申请日期 2015.10.10
申请人 厦门乾照光电股份有限公司 发明人 林志伟;陈凯轩;张永;姜伟;卓祥景;方天足;陈亮
分类号 H01L33/38(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I 主分类号 H01L33/38(2010.01)I
代理机构 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人 廖吉保;唐绍烈
主权项 一种大尺寸发光二极管,包括p区、n区及有源区,有源区设置在p区与n区之间,在p区上设置第一电极,在n区上设置第二电极;其特征在于:p区设置复合的多层欧姆接触层结构,ITO导电层蒸镀在复合的多层欧姆接触层结构上,第一电极设置在ITO导电层上。
地址 361000 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号
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