发明名称 |
一种大尺寸发光二极管 |
摘要 |
本实用新型公开一种大尺寸发光二极管,包括p区、n区及有源区,有源区设置在p区与n区之间,在p区上设置第一电极,在n区上设置第二电极;其特征在于:p区设置复合的多层欧姆接触层结构,ITO导电层蒸镀在复合的多层欧姆接触层结构上,第一电极设置在ITO导电层上。本实用新型可以提高ITO导电层的电流扩展效果,减少扩展电极的挡光面积,提高发光二极管的发光效率,降低制造成本。 |
申请公布号 |
CN205104513U |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201520783121.8 |
申请日期 |
2015.10.10 |
申请人 |
厦门乾照光电股份有限公司 |
发明人 |
林志伟;陈凯轩;张永;姜伟;卓祥景;方天足;陈亮 |
分类号 |
H01L33/38(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
代理机构 |
厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 |
代理人 |
廖吉保;唐绍烈 |
主权项 |
一种大尺寸发光二极管,包括p区、n区及有源区,有源区设置在p区与n区之间,在p区上设置第一电极,在n区上设置第二电极;其特征在于:p区设置复合的多层欧姆接触层结构,ITO导电层蒸镀在复合的多层欧姆接触层结构上,第一电极设置在ITO导电层上。 |
地址 |
361000 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号 |