发明名称 |
包括晶体氧化硅钝化薄膜的光伏电池以及用于制造该光伏电池的方法 |
摘要 |
异质结光伏电池包含至少一个晶体氧化硅薄膜(11),该晶体氧化硅薄膜(11)直接置于晶体硅基底(1)的前或后表面(1a)的一个上,在所述基底(1)和非晶或微晶硅的层(3)之间。薄膜(11)用来确保基底(1)的所述表面(1a)的钝化。具体地,在沉积非晶硅的层(3)之前,薄膜(11)通过基团地氧化基底(1)的表面部分而获得。而且,本征或微掺杂的非晶硅的薄层(2)可置于所述薄膜(11)和非晶或微晶硅的层之间。 |
申请公布号 |
CN102770972B |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201180007552.X |
申请日期 |
2011.01.26 |
申请人 |
原子能和代替能源委员会 |
发明人 |
P.穆尔;H.莫里塞厄;P-J.里贝农 |
分类号 |
H01L31/0745(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0745(2012.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
邱军 |
主权项 |
包括具有指定掺杂类型的晶体硅基底和非晶或微晶硅的层的异质结光伏电池,其特征在于:所述异质结光伏电池包含至少一个晶体氧化硅薄膜,该至少一个晶体氧化硅薄膜直接置于所述晶体硅基底的表面上,在所述晶体硅基底和所述非晶或微晶硅的层之间,所述至少一个晶体氧化硅薄膜是连续的并且具有均匀的厚度。 |
地址 |
法国巴黎 |