发明名称 光刻对准参数预测方法以及光刻方法
摘要 本发明提供了一种光刻对准参数预测方法以及光刻方法。获取同一产品的相对于当前层次相似的其它层次在该机器上的光刻对准参数的第一加权平均值及第一预测准确度参数。获取与当前产品相同技术平台的其他产品相同层次在该机器上的光刻对准参数的第二加权平均值及第二预测准确度参数。获取该机器的光刻对准日常监测的结果值及第三预测准确度参数。如果第一预测准确度参数低于给定的阈值,则将光刻对准值设定为等于:(第一加权平均值×第一预测准确度参数+第二加权平均值×(1-第一预测准确度参数)×第二预测准确度参数)/(第一预测准确度参数+(1-第一预测准确度参数)×第二预测准确度参数)-结果值×第三预测准确度参数。
申请公布号 CN102662313B 申请公布日期 2016.03.23
申请号 CN201210142948.1 申请日期 2012.05.09
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 陈蕾;胡林;鲍晔;周孟兴
分类号 G03F9/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F9/00(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种光刻对准参数预测方法,其特征在于包括:获取同一产品的相对于当前层次相似的其它层次在机器上的光刻对准参数的第一加权平均值及第一预测准确度参数;获取与当前产品相同技术平台的其他产品相同层次在该机器上的光刻对准参数的第二加权平均值及第二预测准确度参数,所述相同技术平台指符合相同的设计尺寸规则并且采用相同的制造工艺;获取该机器的光刻对准日常监测的结果值及第三预测准确度参数;以及如果当前预测的新产品层次不需要量测光刻对准值,则将光刻对准值直接赋值为0;如果第一预测准确度参数高于给定的阈值,则将光刻对准预测值设置为等于:第一加权平均值‑结果值×第三预测准确度参数;如果第一预测准确度参数低于给定的阈值,则将光刻对准预测值设定为等于:(第一加权平均值×第一预测准确度参数+第二加权平均值×(1‑第一预测准确度参数)×第二预测准确度参数)/(第一预测准确度参数+(1‑第一预测准确度参数)×第二预测准确度参数)‑结果值×第三预测准确度参数。
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