发明名称 一种量子点发光二极管及其制备方法、显示器件
摘要 本发明实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法、显示器件,涉及显示技术领域,可实现全彩化显示,并可有效提高像素开口率。该量子点发光二极管包括:第一电极和第二电极,设置于两电极之间的量子点发光层,所述量子点发光层至少包括红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点,以及至少设置于所述红光量子点、绿光量子点以及蓝光量子点之间的黑矩阵;其中,所述第一电极和所述第二电极中位于出光一侧的电极至少为透明。用于显示器件的制造。
申请公布号 CN103346154B 申请公布日期 2016.03.23
申请号 CN201310201938.5 申请日期 2013.05.27
申请人 北京京东方光电科技有限公司 发明人 蔡佩芝
分类号 H01L25/13(2006.01)I;H01L33/06(2010.01)I;G09F9/33(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L25/13(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种量子点发光二极管,其特征在于,包括:第一电极和第二电极,设置于两电极之间的量子点发光层,所述量子点发光层至少包括红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点,以及至少设置于所述红光量子点、所述绿光量子点以及所述蓝光量子点之间的黑矩阵;其中,所述第一电极和所述第二电极中位于出光一侧的电极至少为透明电极;所述量子点发光层中的量子点包括硫化锌纳米半导体化合物;其中,所述红光量子点包括粒径为10~12nm的所述硫化锌纳米半导体化合物,所述绿光量子点包括粒径为7~8nm的所述硫化锌纳米半导体化合物,所述蓝光量子点包括粒径为4~5nm的所述硫化锌纳米半导体化合物。
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