| 发明名称 | 用于鳍式场效应晶体管器件的后栅极隔离区域形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于鳍式场效应晶体管(finFET)器件形成的方法，包括：在衬底上形成多个鳍；在多个鳍之上形成栅极区域；并且在形成栅极区域之后形成用于finFET器件的隔离区域，其中形成用于finFET器件的隔离区域包括执行对多个鳍的子集的氧化或者去除之一。 | ||
| 申请公布号 | CN103579007B | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201310278544.X | 申请日期 | 2013.07.04 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | B·S·哈兰;S·梅塔;T·E·斯坦戴尔特 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 酆迅 |
| 主权项 | 一种用于鳍式场效应晶体管(finFET)器件形成的方法，所述方法包括：在衬底上形成多个鳍；在所述多个鳍之上形成栅极区域；并且在形成所述栅极区域之后形成用于所述鳍式场效应晶体管器件的隔离区域，其中形成用于所述鳍式场效应晶体管器件的所述隔离区域包括执行对所述多个鳍的子集的氧化和去除中的一种。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||