一种电化学制备非晶单质硒薄膜的方法

摘要

本发明提供了一种非晶单质硒薄膜的电化学制备方法，其特征在于：以亚硒酸(H₂SeO₃)为硒源，与柠檬酸水溶液形成含硒电化学沉积液；以导电玻璃为薄膜沉积基底，在上述电化学沉积液中利用电化学方法(恒电位技术)，沉积电位变动范围为-0.5V～-0.8V(相对于饱和甘汞电极)，沉积时间为100～14400s，沉积制备好的非晶单质硒薄膜在去离子水中浸泡数分钟，除去表面的溶液离子，在室温下进行干燥，即可获得非晶单质硒薄膜。本发明方法设备简单、操作方便、所制薄膜均匀、厚度可控，有利于实验的后续相关材料的测试及表征。本发明主要应用于非晶单质硒薄膜的制备。

主权项

一种制备非晶单质硒薄膜的方法，其特征是包括下列步骤：a)电化学沉积液的配置：电化学沉积液为含亚硒酸(H₂SeO₃)和柠檬酸的水溶液。其中浓度范围为1‑5mmol/L的亚硒酸，浓度范围为0.1‑1mol/L的柠檬酸。溶液配制过程为：先称取一定量的亚硒酸(H₂SeO₃)溶于去离子水中,待溶解之后，再称取一定量的柠檬酸加入、溶解之后，即可制得电化学沉积混合液；b)单质硒薄膜的电化学沉积：利用三电极系统，以铂网为对电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，导电玻璃(FTO)为工作电极，将电化学沉积混合液注入石英沉积槽中，采用恒电位沉积技术，沉积电位的设定取值范围为‑0.5V～－0.8V(相对于饱和甘汞电极)，沉积时间为100～14400s，即可获得非晶单质硒薄膜。