| 发明名称 | 一种电磁辐射下的神经元电活动模拟器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种电磁辐射下的神经元电活动模拟器，包括神经元电路，其特征在于，还包括电磁辐射效应电路和加法器，且电磁辐射效应电路的输入端分别与神经元电路的输出端、等效外界磁通连接，以输入神经元响应即膜电位x和等效外界磁通量φ<sub>ext</sub>，电磁辐射效应电路的输出端与加法器连接，输出电磁辐射效应电路对神经元的电磁辐射作用i与流入神经元细胞膜的离子电流I<sub>ext</sub>经加法器求和后，接入神经元电路neuron的输入端，本神经元电活动模拟器工作稳定后输出包含电磁记忆效应的神经元响应即膜电位x。本发明考虑了神经元膜电位放电的电磁记忆效应，保证了神经元电活动规律。 | ||
| 申请公布号 | CN105426957A | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201510746535.8 | 申请日期 | 2015.11.06 |
| 申请人 | 兰州理工大学 | 发明人 | 马军;任国栋 |
| 分类号 | G06N3/06(2006.01)I | 主分类号 | G06N3/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人 | 付雷杰;张瑜 |
| 主权项 | 一种电磁辐射下的神经元电活动模拟器，包括神经元电路，其特征在于，还包括电磁辐射效应电路和加法器，且电磁辐射效应电路的输入端分别与神经元电路的输出端、等效外界磁通连接，以输入神经元响应即膜电位x和等效外界磁通量φ<sub>ext</sub>，电磁辐射效应电路的输出端与加法器连接，输出电磁辐射效应电路对神经元的电磁辐射作用i与流入神经元细胞膜的离子电流I<sub>ext</sub>经加法器求和后，接入神经元电路neuron的输入端，本神经元电活动模拟器工作稳定后输出包含电磁记忆效应的神经元响应即膜电位x。 | ||
| 地址 | 730050 甘肃省兰州市七里河区兰工坪287号 | ||