一种通孔底部阻挡层的刻蚀方法

摘要

本发明提供了一种通孔底部阻挡层的刻蚀方法，包括以下步骤：向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启上电极电源和下电极电源，以去除基片上位于通孔底部的阻挡层；其中，刻蚀气体包括氧气和含氟类气体，且氧气的气流量大于含氟类气体的气流量；同时，反应腔室的腔室压力、下电极电源的下电极功率和基片温度的设置方式为：通过降低腔室压力、下电极功率和基片温度，以避免在基片表面上产生裂缝。本发明提供的通孔底部阻挡层的刻蚀方法，可以避免在基片的表面上产生裂缝，因而可以降低了后道工艺沉积金属层后与晶圆直接接触造成短路的风险，从而可以提高良品率和产能。

主权项

一种通孔底部阻挡层的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启上电极电源和下电极电源，以去除基片上位于通孔底部的阻挡层；其中，所述刻蚀气体包括氧气和含氟类气体，且所述氧气的气流量大于所述含氟类气体的气流量；同时，所述反应腔室的腔室压力、所述下电极电源的下电极功率和基片温度的设置方式为：通过降低所述腔室压力、下电极功率和基片温度，以避免在基片表面上产生裂缝。