一种高速激光器芯片结构及其制作方法

摘要

本发明属于激光器技术领域，尤其涉及一种高速激光器芯片结构，包括：一衬底；一缓冲层；一第一渐变限制层；一腐蚀停止层3；一第一波导层4；一第二限制层5；一第一量子阱垒层6；一量子阱有源层7；一第二量子阱垒层8；一第二波导层9；一光栅层10；一第三渐变限制层11；一欧姆接触层12；一绝缘介质层13；一P型上电极14；一N型下电极15。本发明重新设计腐蚀层的结构位置，与传统比较，漏电流会减少，电容也会相应减少，对整个高速激光器的光电特性有明显提高。

主权项

一种高速激光器芯片结构，其特征在于，包括腐蚀停止层(3)，具体的：所述腐蚀停止层(3)位于所述第一渐变限制层(2)和第一波导层(4)之间；其中，所述第一渐变限制层(2)位于缓冲层(1)上，所述缓冲层位于衬底(0)上。