薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板，包括阵列设置于玻璃基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于同一结构层中的源电极、漏电极和有源层，其中，所述源电极和漏电极的材料为Cu，所述有源层位于所述源电极和漏电极之间，所述有源层的材料是由Cu基体通过N离子注入形成的CuN_x半导体材料；其中，所述Cu基体与所述源电极和漏电极为一体的Cu薄膜结构。本发明还公开了如上所述阵列基板的制备方法以及包含该阵列基板的显示装置。本发明中的薄膜晶体管的源电极、漏电极和有源层位于同一结构层中，有利于阵列基板薄型化。其制备方法相比于享现有技术减少了光罩工艺的次数，降低了工艺难度，更易于实现，节省了成本。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，包括阵列设置于玻璃基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于同一结构层中的源电极、漏电极和有源层，其特征在于，所述源电极和漏电极的材料为Cu，所述有源层位于所述源电极和漏电极之间，所述有源层的材料是由Cu基体通过N离子注入形成的CuN_x半导体材料；其中，所述Cu基体与所述源电极和漏电极为一体的Cu薄膜结构。