发明名称 一种浪涌电流抑制电路
摘要 本发明公开一种浪涌电流抑制电路,包括整流桥BD、电阻R2、电容C1和DC/DC转换器,所述整流桥BD的端口2连接电阻R2、电容C1和DC/DC转换器,电阻R2的另一端连接电阻R3、电容C4、二极管ZD1的阴极、MOS管Q1的栅极好二极管ZD1的阴极,电阻R3的另一端连接电阻R1、电容C4的另一端、二极管ZD1的阳极、MOS管Q1的源极和整流桥BD的端口4。本发明具有以下优点:1,电路简单,2,拓宽MOSFET的应用范围(随着MOSFET的技术发展,MOSFET的体积越来越小,为MOSFET的应用范围进一步扩大),3,实现整体产品体积的小型化。
申请公布号 CN105429120A 申请公布日期 2016.03.23
申请号 CN201510811650.9 申请日期 2015.11.19
申请人 广州中逸光电子科技有限公司 发明人 王中于
分类号 H02H9/02(2006.01)I 主分类号 H02H9/02(2006.01)I
代理机构 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 代理人 李静
主权项 一种浪涌电流抑制电路,包括整流桥BD、电阻R2、电容C1和DC/DC转换器,其特征在于,所述整流桥BD的端口2连接电阻R2、电容C1和DC/DC转换器,电阻R2的另一端连接电阻R3、电容C4、二极管ZD1的阴极、MOS管Q1的栅极好二极管ZD1的阴极,电阻R3的另一端连接电阻R1、电容C4的另一端、二极管ZD1的阳极、MOS管Q1的源极和整流桥BD的端口4,MOS管Q1的漏极连接电容C1的另一端、电阻R1的另一端和DC/DC转换器,DC/DC转换器还连接PWM芯片,PWM芯片还连接二极管D2的阳极,二极管D2的阴极连接二极管ZD1的阳极和电容C5,电容C5的另一端接地。
地址 510530 广东省广州市经济技术开发区永和经济区斗塘路8号二栋2402房