发明名称 |
一种浪涌电流抑制电路 |
摘要 |
本发明公开一种浪涌电流抑制电路,包括整流桥BD、电阻R2、电容C1和DC/DC转换器,所述整流桥BD的端口2连接电阻R2、电容C1和DC/DC转换器,电阻R2的另一端连接电阻R3、电容C4、二极管ZD1的阴极、MOS管Q1的栅极好二极管ZD1的阴极,电阻R3的另一端连接电阻R1、电容C4的另一端、二极管ZD1的阳极、MOS管Q1的源极和整流桥BD的端口4。本发明具有以下优点:1,电路简单,2,拓宽MOSFET的应用范围(随着MOSFET的技术发展,MOSFET的体积越来越小,为MOSFET的应用范围进一步扩大),3,实现整体产品体积的小型化。 |
申请公布号 |
CN105429120A |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201510811650.9 |
申请日期 |
2015.11.19 |
申请人 |
广州中逸光电子科技有限公司 |
发明人 |
王中于 |
分类号 |
H02H9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H02H9/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 |
代理人 |
李静 |
主权项 |
一种浪涌电流抑制电路,包括整流桥BD、电阻R2、电容C1和DC/DC转换器,其特征在于,所述整流桥BD的端口2连接电阻R2、电容C1和DC/DC转换器,电阻R2的另一端连接电阻R3、电容C4、二极管ZD1的阴极、MOS管Q1的栅极好二极管ZD1的阴极,电阻R3的另一端连接电阻R1、电容C4的另一端、二极管ZD1的阳极、MOS管Q1的源极和整流桥BD的端口4,MOS管Q1的漏极连接电容C1的另一端、电阻R1的另一端和DC/DC转换器,DC/DC转换器还连接PWM芯片,PWM芯片还连接二极管D2的阳极,二极管D2的阴极连接二极管ZD1的阳极和电容C5,电容C5的另一端接地。 |
地址 |
510530 广东省广州市经济技术开发区永和经济区斗塘路8号二栋2402房 |