一种基于非晶态LaMnO₃薄膜的阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于非晶态LaMnO₃薄膜的阻变存储器，由衬底、底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的功能层形成的叠层结构，功能层为非晶态LaMnO₃薄膜，非晶态LaMnO₃薄膜厚度为20nm～40nm。本发明的制备方法，包括以下步骤：（1）在衬底上制备底电极；（2）在所述底电极上通过射频磁控溅射方法制备功能层非晶态LaMnO₃薄膜；（3）在所述非晶态LaMnO₃薄膜上通过金属掩模板用直流磁控溅射方法制备顶电极。本发明的阻变存储器，具有操作电压低、阻变性能好的优点，其制备工艺不涉及任何高温工艺，完全在低温下就可以实现，降低了能耗，节省了制备时间，有利于与其他工艺完全兼容及实际应用。

主权项

一种基于非晶态LaMnO₃薄膜的阻变存储器，为由衬底、底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的功能层形成的叠层结构，其特征在于，所述功能层为非晶态LaMnO₃薄膜，所述非晶态LaMnO₃薄膜的厚度为20 nm～40nm。