Transistrons et tétrodes à cristal présentant des diodes émetteur-base de haute qualité et leur procédé de fabrication,申请号FRD1182731-传众专利搜索

发明名称	Transistrons et tétrodes à cristal présentant des diodes émetteur-base de haute qualité et leur procédé de fabrication
摘要
申请公布号	FR1182731(A)	申请公布日期	1959.06.29
申请号	FRD1182731	申请日期	1957.09.13
申请人		发明人	BEJAT JEAN
分类号	H01L21/3063;H01L29/00	主分类号	H01L21/3063
代理机构		代理人
主权项
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