发明名称 |
一种带上电复位的可校正低功耗电压基准源 |
摘要 |
本发明公开了一种带上电复位的可校正低功耗电压基准源,包括上电复位电路、启动电路、基准电压源核心电路、基准电压校正电路、缓冲电路。本发明带上电复位功能,可检测电源电压是否为有效工作电压;本发明的启动电路具有启动速度快的特点;本发明的基准电压校正电路采用了数字技术对MOS管进行修调,具有校正方便、面积小、功耗低的特点;本发明具有高精度、低功耗、面积小、工作电压范围宽的优点。 |
申请公布号 |
CN105425887A |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201511021712.2 |
申请日期 |
2015.12.30 |
申请人 |
广西师范大学 |
发明人 |
蔡超波;宋树祥;岑明灿;陈新菡 |
分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
代理机构 |
广州市一新专利商标事务所有限公司 44220 |
代理人 |
滕杰锋 |
主权项 |
一种带上电复位的可校正低功耗电压基准源,包括电源,其特征在于:至少还包括上电复位电路;所述上电复位电路包括PMOS管M<sub>P1</sub>、PMOS管M<sub>P3</sub>、PMOS管M<sub>P4</sub>和NOMS管M<sub>P2</sub>,电阻R<sub>P1</sub>、电阻R<sub>P2</sub>、电阻R<sub>P3</sub>和电阻R<sub>P4</sub>,反相器INV<sub>1</sub>、反相器INV<sub>2</sub>和反相器INV<sub>3</sub>;PMOS管M<sub>P1</sub>的源极与电阻R<sub>P1</sub>的第一端子接入电源VDD端,PMOS管M<sub>P1</sub>的栅极与反相器INV<sub>2</sub>的输出端连接,PMOS管M<sub>P1</sub>的漏极与电阻R<sub>P1</sub>的第二端子及电阻R<sub>P2</sub>的第一端子相互连接,电阻R<sub>P2</sub>的第二端子与NOMS管M<sub>P2</sub>的栅极及电阻R<sub>P3</sub>的第一端子相互连接,电阻R<sub>P3</sub>的第二端子接地,NOMS管M<sub>P2</sub>的源极通过电阻R<sub>P4</sub>接地,NOMS管M<sub>P2</sub>的漏极与PMOS管M<sub>P3</sub>的漏极及反相器INV<sub>1</sub>的输入端相互连接,PMOS管M<sub>P3</sub>的栅极与第二偏置电压V<sub>P2</sub>连接,PMOS管M<sub>P3</sub>的源极与PMOS管M<sub>P4</sub>的漏极连接,PMOS管M<sub>P4</sub>的栅极与第一偏置电压V<sub>P1</sub>连接,PMOS管M<sub>P4</sub>的源极接入电源VDD,反相器INV<sub>1</sub>的输出端连接反相器INV<sub>2</sub>的输入端,反相器INV<sub>2</sub>的输出端连接反相器INV<sub>3</sub>的输入端,反相器INV<sub>3</sub>的输出端为整个上电复位电路的输出信号POR。 |
地址 |
541004 广西壮族自治区桂林市七星区育才路15号 |