发明名称 |
单靶溅射制备铜锌锡硒薄膜吸收层的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制备铜锌锡硒薄膜吸收层的方法,包括以下步骤:将衬底依次用去污粉、丙酮、酒精、去离子水超声清洗、并用重铬酸钾溶液浸泡,再用去离子水超声清洗,并用氮气吹干备用;将衬底放入磁控溅射系统里沉积1μm的钼背电极薄膜;以Cu-Zn-Sn-Se四元化合物作为靶材进行射频单靶溅射,沉积700~1000nm的铜锌锡硒薄膜预制层;将上述条件下制备的预制层在氮气或氩气保护下退火硒化处理,自然冷却后得到铜锌锡硒薄膜吸收层;相比于传统的多靶分步溅射或多靶共溅射优点在于:本方法只需一个Cu-Zn-Sn-Se四元化合物单靶一步溅射制作铜锌锡硒薄膜吸收层,该方法简单易操作,成分可控、薄膜制备所需时间较短、生产过程环保无污染等,可用于大规模铜锌锡硒薄膜吸收层材料的制备。 |
申请公布号 |
CN105428212A |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201510766040.1 |
申请日期 |
2015.11.11 |
申请人 |
云南师范大学 |
发明人 |
王书荣;李志山;蒋志;杨敏;刘涛;郝瑞婷 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/477(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种多元化合物单靶溅射制备铜锌锡硒薄膜吸收层的方法,其特征在于,包括以下步骤:衬底清洗:将钠钙玻璃依次用去污粉、丙酮、酒精、去离子水超声清洗、重铬酸钾溶液浸泡30~60min再用去离子水超声清洗,并用氮气吹干备用;将清洗好的钠钙玻璃放入磁控溅射系统里升温至100~150℃烘烤30~60min,随后在钠钙玻璃上沉积1μm的钼背电极薄膜;铜锌锡硒预制层的制备:利用磁控溅射系统,以Cu‑Zn‑Sn‑Se四元化合物作为靶材进行射频单靶溅射,沉积700~1000nm的铜锌锡硒薄膜预制层;铜锌锡硒薄膜吸收层的制备:将步骤3所制备的铜锌锡硒薄膜预制层在氮气或氩气保护下退火硫化处理,自然冷却后得到铜锌锡硒薄膜吸收层。 |
地址 |
650500 云南省昆明市呈贡新区雨花片区1号 |