| 发明名称 | 具有均匀硅化的鳍片末端部分的多栅极晶体管 | ||
| 摘要 | 在多栅极晶体管中，晶体管的漏极或源极的多个鳍片是通过共同的接触组件(243)彼此电性连接，其中，对应接触区域(235)的增强均匀性可通过增强的硅化工艺序列完成。为此目的，鳍片可被嵌入介电材料(230)中，其中，可形成适当的接触开口(230A)以暴露鳍片(210)的末端表面(210F)，暴露的末端表面(210F)接着可作为硅化表面面积。 | ||
| 申请公布号 | CN105428239A | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201510746686.3 | 申请日期 | 2009.11.25 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | S·贝耶尔;P·普雷斯;R·吉迪格凯特;J·亨齐尔 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种形成鳍式场效晶体管装置的方法，该方法包含：形成多栅极晶体管的栅极电极结构在多个鳍片之上，其中，该栅极电极结构包括栅极电极材料，以及其中，各个该多个鳍片的末端部分从该栅极电极结构横向延伸；形成介电材料在该栅极电极结构之上以及在至少该多个鳍片的该末端部分之上；移除该介电材料的一部分以曝露该栅极电极材料的一部分；在该介电材料中形成开口以便延伸穿过并曝露各个该末端部分的剖面面积；在曝露该栅极电极材料的该部分之后以及在形成该开口之后，形成接触区域在该开口中所暴露的各个该末端部分经暴露的该剖面面积中；以及形成接触组件在该开口中，该接触组件连接各个该接触区域。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||