一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括下部衬底、形成于下部衬底上的包括MEMS器件和电感的前端器件以及与下部衬底键合并与下部衬底共同形成用于容置前端器件的空腔的上部衬底，还包括设置于上部衬底的朝向前端器件的表面的部分区域的吸附层，其中吸附层与电感在竖直方向上不存在重叠。该半导体器件由于吸附层与电感在竖直方向上不存在重叠，因此可以降低电感与吸附层的耦合效应，提高电感的品质因子，从而提高半导体器件的性能。本发明的半导体器件的制造方法用于制造上述半导体器件，制得的半导体器件同样具有上述优点。本发明的电子装置包括上述半导体器件，同样具有上述优点。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括下部衬底、形成于所述下部衬底上的包括MEMS器件和电感的前端器件以及与所述下部衬底键合并与所述下部衬底共同形成用于容置所述前端器件的空腔的上部衬底，还包括设置于所述上部衬底的朝向所述前端器件的表面的部分区域的吸附层，其中所述吸附层与所述电感在竖直方向上不存在重叠。