发光二极管及其制作方法

摘要

本发明提供一种发光强度均匀的二极管结构设计，该外延片结构由下至上包括：衬底，N型层，多量子阱有源区，P型层；随后进行芯片工艺制备，在所述N型层中临近N电极位置设置电流调整结构，该电流调整结构增加所述N型层中临近N电极位置区域的电阻值，通过控制电流调整结构在N型层汇总占用体积、横向和纵向蚀刻深度，降低了临近N电极位置的载流子聚集效应，使更多的载流子流向靠近P电极位置，增加N型层中流向靠近P电极位置电子数量，使同一LED芯片不同位置发光更加均匀；同时由于载流子聚集效应得到缓解，LED可靠性得到进一步提升。

主权项

一种发光二极管，包括：衬底，依次形成于该衬底上的N型层、多量子阱有源区、P型层，分别形成于该P型层、N型层表面上的P电极与N电极，其特征在于：在所述N型层中临近N电极位置设置电流调整结构，该电流调整结构增加所述N型层中临近N电极位置区域的电阻值。