相变化记忆体及其制造方法

摘要

本发明揭露一种相变化记忆体及其制造方法。相变化记忆体包含主动元件、下电极、第一绝缘层、上电极、加热器以及环状相变化层。下电极耦接主动元件，第一绝缘层位于下电极上方，而上电极位于第一绝缘层上方。加热器嵌于第一绝缘层中，而环状相变化层则围绕第一绝缘层与上电极，且环状相变化层接触加热器的一侧面。由于加热层与环状相变化层之间的接触面积很小，因此相变化记忆体的重置电流很低。

主权项

一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含：形成一下电极；形成一加热器于该下电极上方；形成一第一绝缘层覆盖该加热器；形成一上电极于该第一绝缘层上；以及形成一环状相变化层围绕该第一绝缘层与该上电极，其中该环状相变化层接触该加热器的一侧面。