一种具有三维P-N结的半导体发光二极管芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有三维P-N结的半导体发光二极管芯片及其制备方法，包含：一个支撑基板；层叠于所述支撑基板上的半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层N型半导体层、一层P型半导体层和一层夹于N、P层之间的发光有源层；两个欧姆电极，特征是：半导体叠层中的发光有源层及P-N结具有非平面的三维结构。本发明的发光有源层有效发光面积较常规LED的二维平面有源区大，可降低有源区内载流子浓度，因此具有抑制俄歇复合、降低载流子泄漏等优点，可大幅改善效率骤降现象。另外，芯片内部存在三维结构可减少全反射的形成，有利于提高光的提取效率。

主权项

一种具有三维P‑N结的半导体发光二极管芯片，包含：一个支撑基板；层叠于所述支撑基板上的半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层N型半导体层、一层P型半导体层和一层夹于N、P层之间的发光有源层；两个欧姆电极，其特征在于：半导体叠层中的发光有源层及P‑N结具有非平面的三维结构。