一种LED芯片及其制作方法

摘要

本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底；位于所述衬底表面下的第一半导体层；位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的第一电极和有源层，所述第一电极围绕所述有源层，且所述第一电极与所述有源层之间相互绝缘；位于所述有源层背离所述衬底一侧，且仅覆盖所述有源层背离所述衬底一侧表面的第二半导体层；位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧表面的第二电极；其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电类型相反，所述第一电极与所述第二电极的极性相反。第一电极围绕第二电极，在对该LED芯片施加电压时，第一电极和第二电极之间的电流流向分散，使注入有源层的电流的密度分布均匀，提高了LED芯片的发光性能。

主权项

一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面下的第一半导体层；位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的第一电极和有源层，所述第一电极围绕所述有源层，且所述第一电极与所述有源层之间相互绝缘；位于所述有源层背离所述衬底一侧，且仅覆盖所述有源层背离所述衬底一侧表面的第二半导体层；位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧表面的第二电极；其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电类型相反，所述第一电极与所述第二电极的极性相反；所述有源层内具有凹槽，在所述衬底至所述有源层方向上，所述凹槽完全贯穿所述有源层；位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的第三电极，所述第三电极位于所述凹槽内，所述第三电极与所述有源层之间相互绝缘，所述第三电极与所述第一电极的极性相同。