用于中性粒子/离子流通量控制的双等离子体容积处理装置

摘要

一种半导体晶片处理装置包括暴露于第一等离子体产生容积的第一电极、暴露于第二等离子体产生容积的第二电极以及布置在所述第一和第二等离子体产生容积之间的气体分配单元。所述第一电极被限定为将射频（RF）功率传送到第一等离子体产生容积并且将第一等离子体处理气体分配到第一等离子体产生容积。第二电极被限定为将RF功率传送到第二等离子体容积，并且保持暴露于第二等离子体产生容积的衬底。气体分配单元包括被限定为将第一等离子体产生容积与第二等离子体产生容积流体连接的通孔布置。气体分配单元还包括被限定为将第二等离子体处理气体分配到第二等离子体产生容积的气体供给端口布置。

主权项

一种半导体晶片处理装置，其包括：暴露于第一等离子体产生容积的第一电极，所述第一电极被限定为将射频功率传送到所述第一等离子体产生容积，所述第一电极被进一步限定为将第一等离子体处理气体分配到所述第一等离子体产生容积；暴露于第二等离子体产生容积的第二电极，所述第二电极被限定为将射频功率传送到所述第二等离子体产生容积，所述第二电极被进一步限定为保持暴露于所述第二等离子体产生容积的衬底；气体分配单元，其布置在所述第一等离子体产生容积和所述第二等离子体产生容积之间，所述气体分配单元被限定为包括各自延伸贯通所述气体分配单元以将所述第一等离子体产生容积与所述第二等离子体产生容积流体连接的通孔布置，所述气体分配单元被进一步限定为包括内部气体供给通道，所述内部气体供给通道被流体连接到被限定为将第二等离子体处理气体分配到所述第二等离子体产生容积的气体供给端口布置，其中所述气体分配单元包括嵌置电极，所述嵌置电极被限定在所述通孔的周围并且在所述气体供给端口的部分的周围且在所述内部气体供给通道的水平部分的下方，所述嵌置电极中的每一个被限定为与所述气体分配单元的外侧的一个或者多个直流偏压源中的任一个连接；以及排放通道，其配置成在所述第一电极的径向周边外部和所述气体分配单元的径向周边外部环绕所述第一等离子体产生容积。