得自含硅烷的配制品的硅层的改性

摘要

本发明涉及制备安置在基材上至少一硅层的方法，该硅层的至少一层在表面或整个有低氧化物结构，该方法含：(a)提供基材，(b)提供含至少一种硅化合物的制品，(c)在基材上施加该制品，(d)辐照和/或热处理基材，(e)用纯的或液体或气体混合物的元素氧和/或O₃、CO₂、含氧化合物或混合物形式的氧处理(d)后所得层，(f)辐照和/或热处理(e)后所得基材，形成主要由硅组成、至少部分多晶型、在表面有低氧化物结构的层，或：(a')提供基材，(b')提供含至少一种硅化合物、纯的或液体或气体混合物的元素氧和/或O₃、CO₂、含氧化合物或混合物形式氧的制品，(c')在基材上施加配制品，(d')辐照和/或热处理(c')后所得基材，形成主要由硅组成、至少部分多晶型，整个有低氧化物结构的层。

主权项

用于制备安置在基材上的至少一层硅层的方法，其中所述硅层的至少一层在其表面上具有低氧化物结构或整个具有低氧化物结构，所述方法包括下述步骤：(a) 提供基材，(b) 提供含有至少一种硅化合物的液体配制品，所述液体配制品任选地包含溶剂，且其粘度是1‑2000 mPas，(c) 将所述配制品施加于所述基材上，(d) 辐照和/或热处理涂覆的基材，(e) 用氧处理在步骤(d)之后得到的层，所述氧是元素氧和/或O₃、二氧化碳、一种或多种含氧化合物或它们的混合物的形式，以纯的形式或以液体或气体混合物的形式，和(f) 辐照和/或热处理在步骤(e)之后得到的经涂覆的基材，其中步骤a)至d)在惰性条件下进行，形成主要由硅组成的且至少部分多晶型的层，该层在其表面上具有低氧化物结构，或者，所述方法包括下述步骤：(a') 提供基材，(b') 提供液体配制品，所述配制品含有至少一种硅化合物，所述液体配制品任选地包含溶剂，且其粘度是1‑2000 mPas，且含有氧，所述氧是元素氧和/或O₃、二氧化碳、一种或多种含氧化合物或它们的混合物的形式，以纯的形式或以液体或气体混合物的形式，(c') 将所述配制品施加于所述基材上，和(d') 辐照和/或热处理在步骤(c')之后得到的经涂覆的基材，其中步骤a')至d')在惰性条件下进行，形成主要由硅组成的且至少部分多晶型的层，该层整个具有低氧化物结构；其中Si低氧化物被引入到无掺杂的层厚为40 nm或更小的硅层。