| 发明名称 | 具有氧化物半导体薄膜层的层叠结构以及薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。 | ||
| 申请公布号 | CN103474469B | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201310336580.7 | 申请日期 | 2011.12.27 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 江端一晃;笘井重和;霍间勇辉;松崎滋夫;矢野公规 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/22(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为10<sup>13</sup>～10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>、平均晶体粒径为1～27μm，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面，构成所述氧化物层的材料为选自氧化铟、掺杂有Ga的氧化铟、掺杂有Al的氧化铟、掺杂有Zn的氧化铟、以及掺杂有Sn的氧化铟所组成的组中的材料。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||